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记者采访了3位青年代表委员。他们是拓荆科技股份有限公司工艺工程师张亚梅代表、电子科技大学材料与能源学院副院长刘明侦委员和中国电气装备平高集团有限公司首席工匠胡中辉代表。
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在这一背景下，然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。
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